近年來(lái)我國半導體產(chǎn)業(yè)開(kāi)展迅猛，半導體芯片行業(yè)運用大批研磨液進(jìn)行芯片打磨拋光，發(fā)作各種研磨液廢水，但隨著(zhù)大眾環(huán)保意識和環(huán)保請求的進(jìn)步，環(huán)境凈化也日益遭到人們的關(guān)注。現有的研磨廢水個(gè)別須要進(jìn)行解決，到達規范后能力排放，現有的解決工藝個(gè)別采取普通絮凝積淀、電絮凝、高pH膜過(guò)濾等的解決工藝。

增添絮凝劑為罕用的絮凝方法，然而因為研磨液浮現強穩固性須要投加大批的絮凝劑能力起到絮凝作用，這無(wú)疑增添了企業(yè)的投入老本，而且，投加的絮凝劑量大，發(fā)作的污泥量也隨著(zhù)增添，使得后續污泥解決的難度也隨之增大。半導體研磨廢水的解決方案，其特性在于，包含以下步驟：

（1）取研磨廢水，調理研磨廢水的pH值為8.5－10.5；

（2）向經(jīng)步驟（1）解決后的研磨廢水中參加破穩劑，使得研磨廢水中破穩劑的質(zhì)量濃度和懸浮物的質(zhì)量濃度之比為1：9－13，而后攪拌10－50min，得破穩廢水；

（3）向步驟（2）中的破穩廢水中順次參加絮凝劑和助凝劑，使得破穩廢水中絮凝劑的質(zhì)量濃度與懸浮物的質(zhì)量濃度之比為1：90－120，助凝劑與懸浮物的質(zhì)量濃度之比為1：9－13，然落后行沉降分別即可。

在增添絮凝劑、助凝劑之前先參加由硅酸鈉、偏鋁酸鈉和氫氧化鈣制成的破穩劑，首先，破穩劑造成的物資外表帶有正電荷，正好與研磨廢水中的懸浮顆粒外表的負電荷發(fā)作電中和，使得研磨廢水中的懸浮物集合成絮凝體，研磨廢水中的電位下降，研磨廢水中懸浮顆粒的穩固狀況被損壞，懸浮顆粒集合為較大的顆粒，發(fā)作沉降，因為研磨廢水中懸浮顆粒的穩固狀況被損壞，因而，后續只要參加很大批的絮凝劑便可完成懸浮物沉降的目標；其次，參加的破穩劑在研磨廢水中造成多孔的具備吸附作用的物資，可對研磨廢水中的懸浮顆粒進(jìn)行吸附，進(jìn)一步進(jìn)步懸浮顆粒去除速度，最終完成水體凈化的作用。